制造商产品编号:
TSM60NB600CF C0G
Product Overview
制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件编号:
TSM60NB600CF C0G-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S
详细描述:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 41.7W (Tc) Through Hole ITO-220S
库存:
31 件 新原装 现货
12897655
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TSM60NB600CF C0G 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Taiwan Semiconductor
包装
Tube
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
8A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
528 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
41.7W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
ITO-220S
包装 / 外壳
TO-220-3 Full Pack
基本产品编号
TSM60
数据表和文档
数据表
附加信息
标准套餐
50
其他名称
TSM60NB600CF C0G-DG
TSM60NB600CFC0G
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
零件编号
TSM60NB600CF
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用数量
0
部件编号
TSM60NB600CF-DG
单价
1.66
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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